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企業伺服器虛擬化之實作-以某高科技產業公司為例

為了解決win10磁碟100 ptt的問題，作者邱睦翔 這樣論述：

在台灣步向全球國際化的過程中，企業要盡量的降低成本及提高效率，才能增加競爭力。而資訊部門隨著企業規模的擴增，如何有效最佳化使用現有的資訊設備及資源，同時利用創新科技，控制資訊部門的支出，持續改善服務與核心業務，是各公司高層主管所關注的議題。而虛擬化技術，正是達成資訊系統資源最佳化的重要技術之一。 本研究首先探討虛擬化的定義、類別，目前在資訊上的各項應用，以及發展的歷史。伺服器整合將是未來每一企業資訊中心必經之路，接著本文將列舉VMware及Microsoft 兩家虛擬化軟體廠商，分別介紹其伺服器虛擬化方案，並探討兩家產品的整合性、功能性、成效等項目，讓企業對於資訊中心更新整合環境中，尋求最

佳成本及效能的解決方案。 本研究以透過個案導入伺服器虛擬化技術，以及各版本之功能、效能差異，分析導入時硬體及版本所造成的數據差異。由於此資料出自使用Microsoft Hyper-V 建置的上百台已投入公司營運之伺服器，極具參考價值，可提供未導入或正準備要導入伺服器虛擬化技術的企業做為參考。研究結果顯示了實體伺服器的運算核心數量的增加，記憶體的容量增大，硬碟數量及轉速的增加，皆對於虛擬機器的數量與效能有明顯幫助。另外虛擬化軟體版本的升級則對虛擬機器的效能、管理，還有及時移轉功能的設定及速度也有很大的助益。

利用溶膠-凝膠法備製高介電鈦酸鍶鋇薄膜之MIS電容與作為OTFTs之閘極絕緣層

為了解決win10磁碟100 ptt的問題，作者吳建賢 這樣論述：

本論文分為兩個階段，第一階段為利用溶膠-凝膠法(Sol-gel method)備製鈦酸鍶鋇(BaXSr1-XTiO3，BST)溶液，以旋轉轉塗佈技術(Spin-coating technique)將鈦酸鍶鋇溶液旋塗於n型矽基板上，形成高介電鈦酸鍶鋇薄膜，製作成金屬/絕緣體/半導體(Metal/Insulator/Semiconductor)之MIS電容結構，本研究中所調配出之鈦酸鍶鋇溶液分別為X=1、0.8、0.7與0.5等不同之鋇與鍶莫耳比。在電性上使用Keithley量測系統測量薄膜之電容-電壓(C-V)與電流密度-電壓(J-V)之特性曲線。實驗結果顯示於氧氣(O2)環境下350℃退火2

小時所得之堆積電容值分別為：BaTiO3 (Cacc) =177.4pF、Ba0.8Sr0.2TiO3 (Cacc) =150.6 pF、Ba0.7Sr0.3TiO3 (Cacc) =144.7 pF、Ba0.5Sr0.5TiO3 (Cacc) =143.3 pF，介電常數值分別為：BaTiO3 (k) = 78.1、Ba0.8Sr0.2TiO3 (k) = 44.4、Ba0.7Sr0.3TiO3 (k) = 54.5、Ba0.5Sr0.5TiO3 (k) = 64.6。又於氧氣(O2)環境下450℃退火2小時所得之堆積電容值分別為：BaTiO3 (Cacc) =228.3 pF、Ba0.8S

r0.2TiO3 (Cacc) =164.8 pF、Ba0.7Sr0.3TiO3 (Cacc) =150.1 pF、Ba0.5Sr0.5TiO3 (Cacc) =147.1 pF，介電常數值分別為：BaTiO3 (k) = 139、Ba0.8Sr0.2TiO3 (k) = 89.5、Ba0.7Sr0.3TiO3 (k) = 92.1、Ba0.5Sr0.5TiO3 (k) = 95.5。在外加偏壓為2V下，電流密度均維持在10-8 A/cm2。在氧氣(O2)環境下450℃退火2小時，可獲得較高之能障高度 (Potential barrier height，ψ) 。 第二階段之實驗為有機薄膜

電晶體(Organic Thin Film Transistors，OTFTs)元件之製作，將四種不同莫耳比之鈦酸鍶鋇溶液以旋塗方式塗佈於二氧化矽/矽(SiO2/Si)基板上並且於氧氣(O2)環境下作450℃退火2小時來作為有機薄膜電晶體之閘極絕緣層，通道層為五環素。量測元件之ID-VD、|ID|1/2-VG及Log|ID|-VG之電性，並且計算元件之載子遷移率(Mobility，μ)、起始電壓(Threshold voltage，VT)、導通/截止電流比(On/Off Current Ratio)以及次臨界斜率(Sub-threshold slope)，得到最佳之載子遷移率為 μ = 0.3

7 cm2/V.s、起始電壓VT = -1.5V、導通/截止電流比為 103 與次臨界斜率為 2.73 V/decade。實驗結果得知，以高介電薄膜作為有機薄膜電晶體之閘極絕緣層，可有效地降低操作電壓與起始電壓。