你看見的世界其實是媒體資訊建構的論文書籍站
南台科技大學 應用英語系 楊維珍所指導 陳彥希的 篩選員工招募的非語言 （2011），提出SI PI 面試關鍵因素是什麼，來自於非語言。
而第二篇論文國立交通大學 電子工程系 陳茂傑所指導 林璧君的 銅膜化學氣相沉積之技術開發與銅膜整合參氟二氧化矽在積體電路上的應用 （1999），提出因為有 化學氣相沉積、氣泡式輸送系統、液體直接輸入(DLI)、擴散阻礙層、劣化的重點而找出了 SI PI 面試的解答。
篩選員工招募的非語言
為了解決SI PI 面試 的問題，作者陳彥希 這樣論述：
過去幾十年，各國企業的人力資源發展（ＨＲＤ）對於非語言這塊領域已開始重視。非語言不但影響著各公司的員工篩選計劃同時也影響到員工的面試。本研究在探討某家美國知名的服飾零售業是否有訓練該公司的招募主管如何辨識員工篩選過程中的非語言。此外本研究生也驗證了眼神交流，說話的音量，臉部表情，手勢，姿態及服裝對於公司的員工篩選計劃及客服的重要性。 研究結果顯示，該公司並沒有完善的訓練每一位招募主管如何去辨識員工篩選過程中非語言。第二，公司並未確認所有的招募主管是受到同樣的員工訓練。因為公司的疏忽而導致於各招募主管自主學習非語言，再把所學的非語言相關資訊運用在員工篩選計劃中。另一方面，數據顯示出該公
司的員工篩選計畫及客服著重於眼神交流，說話的音量，臉部表情與姿態。
銅膜化學氣相沉積之技術開發與銅膜整合參氟二氧化矽在積體電路上的應用
為了解決SI PI 面試 的問題，作者林璧君 這樣論述：
本論文研究及開發銅膜化學氣相沉積技術，以及整合低介電常數物質(參氟二氧化矽)與銅膜之可靠度研究。銅膜化學氣相沉積為一項正在開發中的技術，現有之技術資料十分有限，亦無商用設備可供購置，因此，本研究首先針對銅膜化學氣相沉積所須之各種功能和需求的考量，自行設計、組裝、建立一垂直式低壓化學氣相銅膜沉積系統，並且隨著周邊零組件的發展更新其系統，使其能更精確、再現性更高的沉積出適用於深次微米積體電路連線使用的銅膜。 第一階段以氣泡式(bubbler)銅源輸送系統配以冷壁式反應腔體來沉積銅膜，一方面探討化學氣相沉積銅膜之基本性質，如沉積速率、活化能、銅膜電阻係數、雜質含量、及其微結構等
，另一方面試圖瞭解Cu-CVD在不同載氣(carrier gas)下之銅膜性質並探討其化學反應機制。本研究發現Cu-CVD使用氫氣作為載氣時比起以氮氣或氬氣時能夠沉積出較低電阻係數、較高沉積速率、及較為緻密的銅膜。氫氣不僅扮演還原劑的角色將原本無法繼續反應的附產物轉變為銅膜(在沒有還原劑的狀況下，兩個銅源分子僅能產生一個銅原子，而當還原劑存在時則將另一個原本反應成銅化合物的附產物還原成銅原子)，以增加沉積速率外，也扮演了清道夫的工作將殘餘的附產物反應成較易揮發之氣體以利排除。另一方面本研究也發現當銅膜的雜質含量較低及結構較緻密時其電阻係數較低，而此銅膜性質乃由反應條件所控制。當反應條件在溫度1
80 ℃、壓力300 mTorr、以流速100 sccm的氫氣作為載氣的狀況下得以沉積出低雜質含量及結構較緻密的銅膜，亦即具有較低電阻係數的銅膜性質。 事實上氣泡式(bubbler)輸送系統是當初也是現今許多液態前驅物質所常使用的方式，但是對Cu-CVD而言由於銅源蒸氣壓很低致使銅膜沉積速率非常低(約100 Å/min)，對實際應用而言非常不符合經濟效益，所以當周邊零組件有新突破時我們也更新了我們的輸送系統，改以液體直接輸入(DLI)方式輸送銅源，這樣不僅能夠更精確的輸送銅源，其再現性及操控性都非常優異，尤其銅源是以室溫型態放置大大的降低了前反應(Premature)的機率
。同樣的其更新系統的基本性質被探討，另外在階梯覆蓋型態上(Step coverage)本研究採一特殊Cantilever結構來探討其反應機制，其結果顯示re-emission的反應機制扮演了非常重要的角色，能使銅膜的階梯覆蓋性好。本研究完成了尺寸0.2 μm及aspect ratio為3的填洞，其Cu-CVD的反應條件為溫度200 ℃、壓力800 mTorr、以流速150 sccm的氦氣作為載氣、銅源流速為0.48 ml/min的狀況下以超過800 Å/min的沉積速率鍍出2.0 μΩ-cm電阻係數的銅膜。 本研究針對整合低介電常數物質(參氟二氧化矽)與銅膜之可靠度研究做了
探討。就參氟二氧化矽之性質而言其介電常數隨著氟含量的升高而降低，但其抗水性卻增加，事實上參氟二氧化矽吸了水之後不僅造成介電常數的升高亦使得元件的可靠度產生了問題。本研究提出了以一氧化二氮電漿(N2O Plasma)後置處理來改變參氟二氧化矽的表面性質，藉以改善吸水問題。在整合的議題上本研究採Cu/SiOF/Si MIS的結構來探討，其中銅膜的製作採物理氣相沉積(PVD, i.e., sputtering deposition)及化學氣相沉積(chemical vapor deposition)兩種方式。對於物理氣相沉積所製作的銅電極而言此MIS元件劣化發生於溫度400 ℃以上，若加入25 nm
厚的擴散阻礙層TaN可將元件的穩定溫度提升至500 ℃。一氧化二氮電漿(N2O Plasma)的後置處理被發現能在銅電極與參氟二氧化矽界面形成一有效擴散阻礙層，將元件的穩定溫度提升至500 ℃。另一方面對於以化學氣相沉積來製作的銅電極而言，在銅膜沉積的同時形成了界面物質，此界面物質乃由化學氣相沉積的附產物與參氟二氧化矽表面反應而成，此界面物質在本研究中被發現為一有效的擴散阻礙層，可以有效阻止銅擴散進入參氟二氧化矽，將此MIS元件的穩定溫度提升至500 ℃。