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國立勤益科技大學 機械工程系 蔡明義所指導 林風經的 微孔陶瓷研磨碇開發 （2016），提出清大貴儀xrd關鍵因素是什麼，來自於單晶α氧化鋁、研磨盤。
而第二篇論文國立中央大學 化學工程與材料工程學系 陳吟足、廖炳傑所指導 張丞鈞的 甲醇蒸汽重組產氫觸媒之設計 （2013），提出因為有 甲醇蒸汽重組、甲醇複合式蒸汽重組、銅觸媒、氧化鋯、氧化鈰、貴金屬的重點而找出了 清大貴儀xrd的解答。
微孔陶瓷研磨碇開發
為了解決清大貴儀xrd 的問題，作者林風經 這樣論述：
目前市場LED基材晶片主流為單晶α氧化鋁，如何快速研磨加工單晶α氧化鋁硬脆材已是一大研究趨勢。業界普遍以數百號研磨輪遞增到數千號研磨輪依序進行磨削、研磨加工，最後一道程序再採用化學機械拋光。從磨削到研磨之製程，需要不斷更換研磨輪，因此使用耗材多、製程時間長，故將磨削與研磨縮短為一製程，本研究開發微孔陶瓷研磨裝置，以砂輪磨削的型態結合機械拋光之概念進行硬脆材料移除。本研究針對微孔陶瓷研磨裝置開發為三大部分，一、以最佳燒結製程開發孔洞為直徑約50μm之陶瓷碇。其二、製備鑽石集中度75、100微孔陶瓷研磨碇於不同壓力、轉速之加工參數條件下研磨加工；實驗結果顯示，集中度75、100陶瓷研磨碇表面易受
壓力、轉速影響而使陶瓷結構些微崩解產生自銳效果，故可提升材料移除率。其三、製備圓/弧碇微孔陶瓷研磨盤，實驗結果顯示集中度75弧碇研磨盤材料移除率0.90-1µm/min，表面粗糙度Sa 15-25nm；廠商製作弧碇研磨盤材料移除率為0.9-1µm/min，表面粗糙度Sa 20-30nm，故本研究開發之微孔陶瓷研磨盤對單晶α氧化鋁加工能力已達業界標準。本研究對微孔陶瓷研磨盤之開發，從陶瓷材料選用與燒結特性、陶瓷研磨盤製作及加工參數探討、研磨盤不同型態之變化以及研磨盤修整品質，希冀其開發研究能為業界及學術界於單晶α氧化鋁硬脆材料加工效益有所貢獻。
甲醇蒸汽重組產氫觸媒之設計
為了解決清大貴儀xrd 的問題，作者張丞鈞 這樣論述：
本研究宗旨在設計效能佳的SRM及OSRM產氫觸媒。本研究分三階段，第一階段為最佳觸媒成份比例探討，以商用觸媒G66B的成份比例30/60/10為起始參考，藉調變觸媒基礎成份比例，探討各成份對反應的影響，並確立其最適比例範圍。再於最適比例觸媒分別引入不同比例CeO2及ZrO2取代ZnO，有系統地探討其對觸媒於SRM及OSRM反應的真實影響及其扮演的角色，並確立其適當添加量。另於CuO/ZnO/Al2O3觸媒中分別以含浸法及共沉澱法引入少量貴金屬Pd、Pt、Ru或Rh作為促進劑，探討貴金屬對銅基觸媒於甲醇產氫反應的影響及其扮演的角色。第二階段藉由探討共沉澱pH值、熟化溫度及煅燒溫度對觸媒於SRM
反應的影響，將最佳成份比例觸媒進一步最適化。第三階段以SRM反應進行觸媒穩定性測試，探討觸媒活性衰退的原因。最後以Power law及Langmuir-Hinshelwood模式進行最佳觸媒於SRM反應之動力分析。CuO、ZnO及Al2O3均為觸媒不可或缺的成份，Cu0是觸媒主要活性位置，Cu0與ZnO間的協同效果是影響觸媒活性的重要因素，Al2O3扮演增強觸媒機械性質的角色，但添加Al2O3相對減少ZnO含量，使CuO分散性下降，大幅減少Cu0與ZnO之間有效接觸，對觸媒活性有明顯的負面效果，僅宜少量添加。觸媒基礎成份比例最適範圍為CuO/ZnO/Al2O3(30/60/10)~CuO/Zn
O/Al2O3(40/50/10)。 CeO2能提升觸媒分散性、Cu0表面積及觸媒還原能力，但有抑制methoxy脫氫轉化成formate的負面效果，明顯不利於觸媒活性，此結果與文獻報導的差異來自於文獻探討觸媒成份Al2O3含量偏高，添加CeO2取代Al2O3而降低後者對觸媒活性的負面影響。ZrO2可提升觸媒整體分散性、Cu0表面積及還原能力，還可提升甲醇吸附量，但ZrO2對CuO/ZnO/Al2O3觸媒活性促進效果受限於Cu0與ZnO之間的有效接觸，呈現效果所需CuO/ZnO臨界比值約為0.8，當CuO/ZnO比值大於0.8，ZrO2促進效果無法顯現，小於0.8，ZrO2促進效果隨C
uO/ZnO比值愈低而越明顯，最適添加量約為20 wt%。CuO/ZnO/Al2O3(30/60/10)觸媒以共沉澱法引入貴金屬不影響觸媒結構及分散性等物理性質，但可有效提升觸媒還原能力，貴金屬主要扮演幫助擷取H原子促使甲醇解離吸附及反應中間物脫氫轉化的角色，添加Pd、Pt、Ru或Rh皆可提升CuO/ZnO/Al2O3觸媒於SRM及OSRM反應活性，Pt促進效果最佳，Pd次之，最適添加量皆為1 wt%。Pt不影響觸媒CO選擇率，但Pd、Ru、Rh會增加產物中CO的濃度。若以臨濕含浸法引入貴金屬無法彰顯促進效果，甚至抑制觸媒活性，並大幅增加產物中CO濃度。共沉澱pH值8及熟化溫度80°C均有利於
CuO/ZnO/Al2O3(30/60/10)、1%Pt-CuO/ZnO/Al2O3(30/60/10)及CuO/ZnO/ZrO2/Al2O3(30/40/20/10)觸媒前驅物形成aurichalcite結構，經煅燒後CuO及ZnO分散性較佳，可提升Cu0與ZnO之間的有效接觸。CuO/ZnO/Al2O3(30/60/10)及添加Pt之觸媒最適煅燒溫度為350°C，CuO/ZnO/ZrO2/Al2O3(30/40/20/10)觸媒最適煅燒溫度為450°C。提升CuO/ZnO/ZrO2/Al2O3(30/40/20/10)觸媒煅燒溫度不使觸媒燒結，還可強化Cu0與ZnO及ZrO2之間的協同作用
而提升觸媒活性。反應達穩定前，ZnO燒結是觸媒衰退的主因。反應達穩定後，ZnO分散性變化不顯著，觸媒表面積碳是觸媒長時間反應活性衰退的主要因素。添加ZrO2可有效防止觸媒反應過程中燒結並減少積碳，增進觸媒穩定性，縮短觸媒達穩定所需時間。CuO/ZnO/ZrO2/Al2O3(30/40/20/10)觸媒是本研究活性及穩定性最佳之甲醇產氫觸媒。Power Law及Langmuir-Hinshelwood模式表達之反應速率式均能準確預測SRM反應速率，且Langmuir-Hinshelwood動力模式所反映之SRM反應機制與本研究分析論述的機制一致。