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國立臺灣大學 化學工程學研究所 康敦彥所指導 陶大倫的 大氣電漿處理之沸石複合薄膜於滲透蒸發的應用 （2019），提出清大材料xrd關鍵因素是什麼，來自於沸石薄膜、滲透蒸發、大氣電漿、醇類除水、缺陷修補。
而第二篇論文國立清華大學 核子工程與科學研究所 李志浩所指導 饒峻宇的 鈷-60加馬射線對稠五苯薄膜的各向異性結構與電子特性之影響 （2019），提出因為有 輻射損傷、稠五苯、X射線、X射線吸收光譜、電子特性的重點而找出了 清大材料xrd的解答。
大氣電漿處理之沸石複合薄膜於滲透蒸發的應用
為了解決清大材料xrd 的問題，作者陶大倫 這樣論述：
沸石薄膜廣泛的應用於滲透蒸發進行乙醇除水分離。在本研究中，我們提出一項新穎的合成後處理技術—大氣電漿(atmospheric-pressure plasma jet)，目的為提昇沸石薄膜對於醇類除水的分離效能。本論文中我們以FER、MOR、FER-MOR hybrid三種沸石薄膜作為研究的對象。經大氣電漿處理後，三種沸石薄膜之分離選擇率皆有所提升，FER沸石薄膜的水/乙醇選擇率由93提升至377；MOR沸石薄膜由141上升至286；FER-MOR hybrid沸石薄膜則由178上升至315，並可以在FER與MOR兩種沸石薄膜中觀察到分離水通量些微的上升。我們利用不同的材料檢測方法來釐清大氣電
漿對於薄膜效能上升的機制為何。在大氣電漿作用之下，沸石薄膜的結晶性以及空氣通透性降低，這表明沸石薄膜晶界中的部份針孔缺陷可能因此減少，部分解釋了水/乙醇分離選擇率提升的原因。此外，在經過大氣電漿處理後的沸石薄膜表面經由水接觸角的量測顯示出表面變得更加親水，這是另一個增進水/乙醇分離效能的原因。我們預期大氣電漿處理技術將能夠有效套用於其他構型種類之沸石薄膜，並應用於乙醇除水分離程序中。
鈷-60加馬射線對稠五苯薄膜的各向異性結構與電子特性之影響
為了解決清大材料xrd 的問題，作者饒峻宇 這樣論述：
本次研究使用熱蒸鍍將稠五苯沉積於熱生長300 nm的二氧化矽之重摻雜（p-type）矽基板上，並暴露於60Co加馬射線下接受輻射照射，接著探討稠五苯薄膜受輻射照射後在In-Plane（面內）與Plane Normal（面外）各向異性上的原子結構、電子結構、電阻率以及載子遷移率等變化。利用國家同步輻射中心（NSRRC）的光束線來分析樣品；由X-ray繞射觀察到既使在3000 Gy輻射照射下的稠五苯薄膜與未受輻射照射的樣品相比其積分強度下降仍不超過10%，可能暗示著在結晶性、分子排序程度等結構方面擁有著不錯的輻射抗性；接著使用X-ray近吸收邊光譜學分析其電子結構，觀察到經過輻射照射後電子軌域的
未佔據態提升，可能是經過輻射暴露後於稠五苯薄膜中產生了更多的能態缺陷來幫助載子傳輸擁有更多能量與空間的位置來躍遷使得導電性增加；亦或是在輻射暴露期間於稠五苯內部產生了許多的自由基或離子而導致載子濃度增加。在量測稠五苯薄膜電性時，觀察到輻射照射後的面內電阻下降而面外電阻變化極小，因此利用霍爾效應確認薄膜載子濃度的改變，發現輻射照射後的載子濃度逐漸上升使得薄膜的導電度增加，且各向異性上的載子遷移率隨劑量增加而下降，可能是輻射照射後分子排序輕微變差所導致的。另外，藉著後退火處理嘗試恢復薄膜的初始特性，並利用XRD觀察到在較低劑量400 Gy的條件下其繞射峰強度恢復至原本的90%，但在3000 Gy的
高劑量下並無改變，此結果可能是由於高劑量下所造成的永久性輻射損傷而導致的；而在電阻率方面僅能恢復至原本的30%，無法完全恢復至初始電阻率。經過這次的實驗與分析，由於輻射照射後稠五苯薄膜電子特性的改變顯著，或許可以使稠五苯應用在高輻射區域中作為感測器，但後退火處理並無法讓電性完全的恢復，故作為可重複使用的輻射偵檢器，必須有更深入的討論與研究。